据海威华芯官方消息，公司已经开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓CSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

　　未来，海威华芯将持续围绕移动通信、光电传感、电力电子三个方向投入研发、拓展业务。

　　成都海威华芯科技有限公司位于天府新区，是国内率先提供6英寸砷化镓集成电路（GaAs MMIC）的纯晶圆代工（Foundry）服务的制造企业。海威华芯拥有完整的技术团队、先进的GaAs集成电路制造技术和生产设备，其“6英寸GaAs集成电路Foundry线” 是国家支持的重点产业化项目。

　　近日，莱迪思半导体公司宣布了其莱迪思O-RAN堆栈的最新更新，为5G小型基站带来了低功耗和灵活桥接功能。这一更新标志着莱迪思在推动5G技术发展方面迈出了重要的一步。 通过最新的更新，莱迪思引入了适用于室外集成无线G数据路径参考设计。这一设计旨在帮助客户改进智能工厂、智能城市、智能汽车等领域的无线基础设施。借助莱迪思的解决方案，用户可以更轻松地部署和管理5G网络，从而满足不断增长的数据需求。 莱迪思O-RAN解决方案堆栈的推出，旨在加速安全、适应性强的O-RAN系统和应用的部署。O-RAN作为一种开放和灵活的无线接入网络架构，正逐渐成为5G网络的重要组成部分。莱迪思的解决方案堆栈通过提供集成的硬件和软件组件，简

　　最新的消息显示，我国已累计建成5G基站71.8万个。尽管明年5G基站数量的建设计划还在制定中，但由于我国5G网络建设将按照适度超前原则稳步推进，因此很多业内人士预计2021年全国有望新建5G基站超过100万个。 中国工程院院士邬贺铨预测：随着商用步伐加快，基站建设成本将进一步降低，2021年5G建设将全面提速，全国有望新建5G基站超过100万个。 中金公司也认为，今年四季度三大运营商将新增建设10万5G基站，年末5G基站将近80万站，明年将新增80-100万站。 尽管放眼全球，如果中国市场一年大干一百万个5G基站绝对是无与伦比，但无论是从5G肩负的重任、运营商的能力、开辟新业务和新增长点的意愿来说，pg电子平台如果明年我国

　　规模要破百 /

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　　使用 NXP Semiconductors 的 MC32BC3770CS 的参考设计

　　 使用 ROHM Semiconductor 的 BD4960 的参考设计

　　OP184FSZ-REEL7 单电源、3 低噪声仪表放大器的典型应用

　　 使用 ON Semiconductor 的 L5044 的参考设计

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